Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 51 Results

Showing items 1 - 15 of 51.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 8-11
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum E ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 1. С. 164-166
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p -GaN. Произведена оценка коэф ... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2018. Т. 44, вып. 11. С. 21-29
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены результаты исследования процессов переноса носителей заряда и перезарядки глубоких уровней в полупроводниковых структурах для лавинных S-диодов. Исследованы арсенид-галлиевые структуры n+ ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 82-88
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными ... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 2. С. 240-246
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбужден ... More
Source: Оптика и спектроскопия. 2017. Т. 123, № 6. С. 861-865
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Исследованы спектры и амплитудно-временные характеристики излучения кристаллов Оа203, легированных Бп и Ие, при возбуждении пучком убегающих электронов и эксилампой с длиной волны 222 нм. Показано, чт ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 113-121
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Представлен обзор научной литературы с 2000 г. по легированию InN примесями, придающими ему ферромагнитные свойства, и магнитным свойствам InN. По данным теоретических и экспериментальных исследований ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 56-60
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением темп ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 236-240
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Приведены результаты исследований влияния термического отжига на свойства структур n -GaAs- Ga2O3-Me. Показана связь структурно-фазовых изменений в оксидной пленке с проводимостью образцов на переменн ... More
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 194-196
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 175-177
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 138-140
Type: статьи в журналах
Date: 2015

Date

^