Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Chulkov, Evgueni V. | Otrokov, Mikhail M. | топологические изоляторы

Add to Quick Collection   All 18 Results

Showing items 1 - 15 of 18.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 1. P. 38 (1-14)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Using relativistic spin-polarized density functional theory calculations we investigate magnetism, electronic structure and topology of the ternary thallium gadolinium dichalcogenides TlGdZ2 (Z = Se a ... More
Source: Physical Review B. 2015. Vol. 92, № 16. P. 165309-1-165309-9
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: We propose a way to break the time-reversal symmetry at the surface of a three-dimensional topological insulator that combines features of both surface magnetic doping and magnetic proximity effect. B ... More
Source: Physical Review B. 2015. Vol. 92, № 4. P. 045423-1-045423-8
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The atomic structure of ultrathin iron films deposited on the (0001) surface of the topological insulator Bi2Se3 is analyzed by surface x-ray absorption spectroscopy. Iron atoms deposited on a Bi2Se3 ... More
Source: Nano letters. 2013. Vol. 13. P. 6064-6069
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Description: ABSTRACT: The ability to engineer an electronic band
Source: Physical Review B. 2015. Vol. 91. P. 205430-1-205430-7
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: A bilayer of bismuth is recognized as a prototype two-dimensional topological insulator. Here we present a simple and well reproducible top-down approach to prepare a flat and well ordered bismuth bil ... More
Source: Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. 2012. Т. 96, вып. 11/12. С. 799-803
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: The Journal of Physical Chemistry C. 2021. Vol. 125, № 3. P. 1784-1792
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: The electronic and atomic structures of topological insulator Bi2Se3, upon Ag atom deposition, have been investigated by combined experimental methods of scanning tunneling microscopy (STM), photoelec ... More
Source: Международная конференция "Физическая мезомеханика. Материалы с многоуровневой иерархически организованной структурой и интеллектуальные производственные технологии", посвященная 90-летию со дня рождения основателя и первого директора ИФПМ СО РАН академика Виктора Евгеньевича Панина в рамках Международного междисциплинарного симпозиума "Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций", 5-9 октября 2020 года, Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2020. С. 482
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Международная конференция "Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций" ; X Международная конференция "Химия нефти и газа" : тезисы докладов. Томск, 2018. С. 851
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Международная конференция "Физическая мезомеханика. Материалы с многоуровневой иерархически организованной структурой и интеллектуальные производственные технологии", 6-10 сентября 2021 г., Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2021. С. 345
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Source: ChemPhysChem. 2018. Vol. 19, № 18. P. 2405-2410
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Topological insulators are promising candidates for spintronic applications due to their topologically protected, spin‐momentum locked and gapless surface states. The breaking of the time‐reversal sym ... More
Source: Nano letters. 2016. Vol. 16, № 6. P. 3409-3414
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Topological insulators are a promising class of materials for applications in the field of spintronics. New perspectives in this field can arise from interfacing metal–organic molecules with the topol ... More
^