Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
вольт-амперные характеристики

Add to Quick Collection   All 10 Results

Showing items 1 - 10 of 10.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Влияние размеров контактов на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых детекторов, компенсированных хромом
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Тяжев, Антон Владимирович
Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-Петербург. СПб., 2015. С. 111
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Измерение высоты потенциального барьера сенсоров на основе GaAs:Cr методом энергии активации
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 58-59
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Исследование влияния размеров контактов на вольт-амперные характеристики GaAs детекторов
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 51-54
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Нелинейные свойства полупроводникового диода в импульсном режиме
Authors: Быков, Александр Геннадьевич | Лосев, Дмитрий Витальевич | Бардашов, Дмитрий Сергеевич
Source: Электроника и микроэлектроника СВЧ : сборник статей IV Всероссийской научно-технической конференции, Санкт-Петербург, СПбГЭТУ, 1-4 июня 2015. СПб., 2015. Т. 2. С. 16-20
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Расчет электрических характеристик детекторных структур на основе арсенида галлия
Authors: Зенкова, Анастасия Дмитриевна
Source: Труды XII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 12-13 июня 2015 г.. Томск, 2015. С. 16-17
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Температурные зависимости вольт-амперных характеристик сенсоров на основе GaAs с различным уровнем компенсации хромом
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич | Лозинская, Анастасия Дмитриевна
Source: Физика полупроводников и наноструктур, полупроводниковая опто- и наноэлектроника : тезисы докладов 17-й всероссийской молодежной конференции, 23-27 ноября 2015 года, Санкт-Петербург. СПб., 2015. С. 110
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние температуры на механизм инжекции носителей в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGan/Gan
Authors: Голыгин, Илья Юрьевич | Ширапов, Сергей Баирович | Романов, Иван Сергеевич | Хлудков, Станислав Степанович | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, вып. 10. С. 1391-1395
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Исследование фотоприемников ультрафиолетового диапазона на основе нитрида галлия
Authors: Лозинская, Анастасия Дмитриевна | Мокеев, Дмитрий Юрьевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Зарубин, Андрей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 91-92
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Механизмы протекания тока в светодиодах на основе InGaN/GaN
Authors: Голыгин, Илья Юрьевич | Новиков, Вадим Александрович | Данюк, Денис Борисович | Скакунов, Максим Сергеевич | Толбанов, Олег Петрович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 101-102
Type: статьи в журналах
Date: 2012
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

Resource Type

^