Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 231 Results

Showing items 76 - 90 of 231.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 9. С. 106-121
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: В работе, состоящей из двух частей, представлено детальное рассмотрение предложенного авторами метода дискретного анализа спектра подвижности и его применения для исследования параметров носителей зар ... More
Add   Ионная имплантация в гетероэпитаксиальные слои и кристаллы p-CdxHg1-xTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2011. № 4. С. 32-41
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2-Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 7. С. 96-102
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: В широком диапазоне частот, температур и смещений проведены экспериментальные исследования адмиттанса МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2–Al2O3 и различными материалами дл ... More
Add   Физические основы лазерной техники : учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по специальностям 200201 - "Лазерная техника и лазерные технологии", 200203 - "Оптико-электронные приборы и системы"]
Authors: Пойзнер, Борис Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Type: учебные издания
Date: 2006
Add   Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов
Authors: Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Паханов, Николай Андреевич
Source: Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge-Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечива ... More
Add   Влияние состава варизонного слоя на формирование n+–n−–p-структур в имплантированных бором гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
Authors: Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 3. С. 54-67
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Детектирование в терагерцовом диапазоне
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Кульчицкий, Николай Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Мальцев, Петр Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Нано- и микросистемная техника. 2012. № 2. С. 28-35
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Юрий Георгиевич | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре ... More
Add   Влияние профиля варизонных приграничных облаcтей гетероструктур кадмий-ртуть-теллур p-типа на эффективную скорость поверхностной рекомбинации
Authors: Костюченко, Владимир Яковлевич | Протасов, Дмитрий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 7. С. 53-58
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description: Рассмотрено влияние на эффективную скорость поверхностной рекомбинации в гетероструктурах на основе соединения кадмий – ртуть – теллур p-типа проводимости варизонной приграничной области с линейным из ... More
Add   Теория решения изобретательских задач в фотонике : учебное пособие : [для студентов университетов, обучающихся по направлениям подготовки "Фотоника и оптоинформатика", "Светотехника и источники света" и "Биофотоника"]
Authors: Соснин, Эдуард Анатольевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Солдатов, Анатолий Николаевич
Type: учебные издания
Date: 2015
Add   Долговременная стабильность p-n переходов в МЛЭ гетероструктурах CdxHg1-xTe, сформированных ионным травлением
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Коротаев, Александр Григорьевич | Фицич, Елена Ивановна | Бончик, Александр Юрьевич | Савицкий, Григорий Владимирович | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Войцеховский, Александр Васильевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Сборник научных трудов VIII Международной научной конференции "Функциональная база наноэлектроники", 28 сентября - 2 октября 2015 г.. Харьков ; Одесса, 2015. С. 171-175
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Полная проводимость МДП-структур на основе варизонного p-Hg1–хCdхTe (x = 0.22–0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Кузьмин, Валерий Давыдович | Ремесник, Владимир Григорьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 6. С. 3-11
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Теория решения изобретательских задач в фотонике : учебное пособие : [для студентов вузов по укрупненной группе специальностей и направлений подготовки 12.00.00 "Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии" по направлениям подготовки магистратуры 12.04.02 Оптотехника, 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика]
Authors: Соснин, Эдуард Анатольевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Солдатов, Анатолий Николаевич
Type: учебные издания
Date: 2019
Description: Технические системы развиваются по определенным законам и правилам, используя которые можно ускорить процесс развития. Методологическую базу книги составляют законы эволюции целенаправленных систем (А ... More
Add   Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком МЛЭ пленках CdHgTe
Authors: Фицич, Елена Ивановна | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Савицкий, Григорий Владимирович | Курбанов, Курбан Рамазанович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Ремесник, Владимир Григорьевич | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Świątek, Zbigniew | Morgiel, Jerzy | Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 375-377
Type: статьи в сборниках
Date: 2019

Creator

Date

Subject

Resource Type

^