Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3	694 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3
Creator: Войцеховский, Александр Васильевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Васильев, Владимир Васильевич (физик)
|
Варавин, Василий Семенович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Якушев, Максим Витальевич
|
Сидоров, Юрий Георгиевич
|
Несмелов, Сергей Николаевич
Contributor: Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
-: Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
-: Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Date: 2015

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Научное управление | Сибирский физико-технический институт
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов. М., 2015. С. 138
Language: rus

Created: 19-12-2015

3960 Visitors

3718 Hits

273 Downloads

Научное управление Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3