Add to Quick Collection
All 239 Results
Showing items 16 - 30 of 239.
Add All Items to Quick Collection
Source: Journal of communications technology and electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308-312
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Dark currents in medium-wave nBn structures based on HgCdTe grown with the aid of molecular beam epitaxy on the (013) GaAs substrates are studied. The passivation of the surface of the side walls of t
... More
Authors:
Petrushkov, Mikhail O. |
Abramkin, Demid S. |
Emelyanov, Eugeny A. |
Putyato, Mikhail A. |
Komkov, Oleg S. |
Firsov, Dmitrii D. |
Vasev, Andrey V. |
Yesin, Michail Yu. |
Bakarov, Askhat K. |
Loshkarev, Ivan D. |
Gutakovskii, Anton K. |
Atuchin, Victor V. |
Preobrazhenskii, Valery V.
Source: Nanomaterials. 2022. Vol. 12, № 24. P. 4449 (1-19)
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
The use of low-temperature (LT) GaAs layers as dislocation filters in GaAs/Si heterostructures (HSs) was investigated in this study. The effects of intermediate LT-GaAs layers and of the post-growth a
... More
Source: Nanotechnology. 2022. Vol. 33, № 11. P. 115603 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
In this paper, we analyze superstructural transitions during epitaxial growth of two-dimensional layers and the formation of quantum dots by the Stranski–Krastanov mechanism in elastically stressed sy
... More
Source: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 253-263
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Today there are several types of photodetectors that can cope with the task of detecting a single photon, however, avalanche photodiodes are most widely used for applications in fiber-optic communicat
... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб
... More
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 252-254
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description:
Работа посвящена исследованию характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса
Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия. Томск, 2022. С. 18-20
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description:
В данной работе исследуется рост двумерных и нульмерных наноструктур. В процессе выращивания наноструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии происходит фазовый переход из газообразного состояния в
... More
Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия. Томск, 2022. С. 35-37
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия. Томск, 2022. С. 42-44
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description:
В ходе исследования роста эпитаксиальных пленок кремния методом дифракции быстрых электронов, определён принципиально разный характер колебаний интенсивности дифракции при различных направлениях.
Source: Прикладная физика. 2022. № 5. С. 42-48
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Описывается поведение многослойного фотодетектора с квантовыми точками германия в кремнии и его параметры при различных рабочих режимах. Рассматриваются вопросы оптимизации условий роста в методе моле
... More
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 287-289
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description:
В работе описано поведение многослойного фотодетектора с квантовыми точками германия в кремнии и его параметры при различных рабочих режимах. Разработана теоретическая модель для учета наличия в фотод
... More
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 249-251
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description:
В работе проводилось исследование барьерных nBνN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe семи типов (A, B, C, D, E, F) для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях
Source: Прикладная физика. 2022. № 3. С. 37-42
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Проведено исследование электрофизических и фотоэлектических характеристик барьерных фоточувствительных структур в конфигурации NBvN на основе n-HgCdTe (КРТ). Исследовано семь различных типов фоточувст
... More
Source: Journal of electronic materials. 2021. Vol. 50, № 8. P. 4599-4605
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Mid-wave infrared nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy on GaAs (013) substrates were fabricated. The composition in the absorbing layer was 0.29, and in the barrier layer it
... More
Authors:
Izhnin, Igor I. |
Mynbaev, Karim D. |
Voytsekhovskiy, Alexander V. |
Korotaev, Alexander G. |
Varavin, Vasilii S. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Yakushev, Maxim V. |
Fitsych, Olena I. |
Świątek, Zbigniew
Source: Infrared physics and technology. 2021. Vol. 114. P. 103665 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Carrier species in arsenic-implanted p– and n–type Hg0.7Cd0.3Te films grown by molecular-beam epitaxy were investigated with the use of the Hall-effect studies and mobility spectrum analysis. The impl
... More
