Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si (100) и Ge/Si (100)

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si (100) и Ge/Si (100)	340 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si (100) и Ge/Si (100)
Creator: Кукенов, Олжас Игоревич
|
Дирко, Владимир Владиславович
Date: 2022
Description: В ходе исследования роста эпитаксиальных пленок кремния методом дифракции быстрых электронов, определён принципиально разный характер колебаний интенсивности дифракции при различных направлениях.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия. Томск, 2022. С. 42-44
Language: rus

Created: 27-06-2023

278 Visitors

154 Hits

132 Downloads

Радиофизический факультет Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si (100) и Ge/Si (100)