В ходе исследования роста эпитаксиальных пленок кремния методом дифракции быстрых электронов, определён принципиально разный характер колебаний интенсивности дифракции при различных направлениях.
Сборник материалов XVIII Российской научной студенческой конференции "Физика твердого тела" (ФТТ-2022), 28-31 марта 2022 года, Томск, Россия. Томск, 2022. С. 42-44
Language
rus
114 Visitors65 Hits55 Downloads
Радиофизический факультет
Особенности осцилляций интенсивности дифракционных картин при эпитаксии Si/Si (100) и Ge/Si (100)