Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
гетероструктура

Add to Quick Collection   All 4 Results

Showing items 1 - 4 of 4.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Proceedings of SPIE. 2021. Vol. 12086 : XV International Conference on Pulsed Lasers and Laser Applications, 2021, Tomsk, Russian Federation. P. 120860F-1-120860F-5
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Atomic and electronic structure of Bi2SiO5/β-Bi2O3 hetero-junction was described by means of density functional theory. The interface was found to be narrow-gap semiconductor with indirect band gap. T ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 9-19
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Исследован механизм пьезоэлектрического рассеяния носителей заряда в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с одной заполненной подзоной размерного квантования. Создана математическая модель, с помощью кото ... More
Source: Physica B: Condensed matter. 2018. Vol. 534. P. 63-67
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: By using first–principles calculations, the effects of graphene and boron nitride (BN) substrates on the electronic properties of phosphorene are studied. Graphene–supported phosphorene is found to be ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 70-72
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Description: Из рассмотрения зарядовых свойств пары «квантовая яма – барьер», каждое вещество которой обладает пиро- или пьезополяризацией, получено выражение для расчета поляризационных коэффициентов (пирокоэффиц ... More
  • «
  • 1
  • »
^