Add to Quick Collection
All 13 Results
Showing items 1 - 13 of 13.
Add All Items to Quick Collection
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 163-164
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с вкл
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14-22
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включени
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 181
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Type: монографии
Date: 2022
Description:
В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубо
... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 8. С. 693-698
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорны
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 160-165
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 82-88
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 3-6
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Представлены результаты исследования вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур металл – оксид – полупроводник на основе GaxOy/GaAs, полученных методом термического испарения. Установлено
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 181-184
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 12. С. 103-105
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Неорганические материалы. 2012. Т. 48, № 2. С. 133-135
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 7. С. 19-22
Type: статьи в журналах
Date: 2012