Add to Quick Collection
All 67 Results
Showing items 1 - 15 of 67.
Add All Items to Quick Collection
Source: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. P. 308 (1-21)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
The effect of thermally generated equilibrium carrier distribution on the vacancy generation, recombination, and mobility in a semiconductor heterostructure with an undoped quantum well is studied. A
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 32-40
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Предложен метод вычисления профиля концентрации носителей заряда в гетероструктуре с квантовыми ямами, основанный на измерении полевой зависимости резистивных свойств гетероструктуры. Предполагается,
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 12. С. 126-136
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Получены спектры фото- и электролюминесценции светодиодных гетероструктур со множественными квантовыми ямами (МКЯ) InxGa1–xN/GaN в активной области. Фотолюминесценция возбуждалась лазером с длиной вол
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 4. С. 133-142
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Исходя из топологии гетероструктуры с квантовыми ямами, предложена ее эквивалентная схема в виде последовательного соединения параллельных RC-цепей, описывающих электрофизические свойства барьерных сл
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 5. С. 119-127
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Рассматривается излучательная способность квантовой ямы комбинированного профиля, представляющая собой яму, полученную составлением нескольких прямоугольных ям разной толщины и высоты. Нижняя яма наим
... More
Source: Proceedings of SPIE. 2021. Vol. 12086 : XV International Conference on Pulsed Lasers and Laser Applications, 2021, Tomsk, Russian Federation. P. 120861X-1-120861X-7
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
This paper reports results of a theoretical study of multilayer Ge/Si infrared photodetector parameters calculations, these calculations are of certain characteristics of detectors such as: dark curre
... More
Source: Optical engineering. 2021. Vol. 60, № 8. 082007-1-082007-9
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Temperature-driven photoconductivity spectra are studied in HgCdTe thin films and quantum well (QW) heterostructures grown by molecular beam epitaxy (MBE). It is shown that the absorption edge steepne
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 9-19
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Исследован механизм пьезоэлектрического рассеяния носителей заряда в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с одной заполненной подзоной размерного квантования. Создана математическая модель, с помощью кото
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 3. С. 144-147
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Измерения фононного спектра LED-гетероструктуры на основе барьера In0.12Ga0.88N/GaN показали наличие в нём четырех пиков фононного излучения с энергиями 0.193, 0.207, 0.353 и 0.356 эВ. Из сравнения ре
... More
Authors:
Shvets, Vasiliy |
Ikusov, Danil |
Uzhakov, Ivan |
Dvoretsky, Sergei A. |
Mynbaev, Karim D. |
Dluzewski, Piotr |
Morgiel, Jerzy |
Świątek, Zbigniew |
Bonchyk, A. Yu. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Izhnin, Igor I.
Source: Physica status solidi B. 2020. Vol. 257, № 5. P. 1900598 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Transmission electron microscopy (TEM) is used for the study of interfaces in two HgTe/HgCdTe single quantum-well (QW) structures grown by molecular beam epitaxy on GaAs substrates. The studies are co
... More
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 384. P. 125289 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Nowadays, two-dimensional crystals (2D materials) and structures with quantum dots (0D materials) are considered
Authors:
Bonchyk, A. Yu. |
Savytskyy, Hrygory V. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Yakushev, Maxim V. |
Świątek, Zbigniew |
Morgiel, Y. |
Izhnin, Igor I. |
Voytsekhovskiy, Alexander V. |
Korotaev, A. G. |
Mynbaev, Karim D. |
Fitsych, Olena I. |
Varavin, Vasilii S.
Source: Applied nanoscience. 2020. Vol. 10, № 8. P. 2867-2871
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Bright-field and high-resolution transmission electron microscopy and microdiffraction have been used for the study of defects in two HgTe/HgCdTe single quantum well (QW) structures grown by molecular
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 88-96
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Исследуется механизм рассеяния носителей заряда на ионизированных атомах примеси в гетероструктуре InAs/AlSb с двумя заполненными подзонами размерного квантования. Цель статьи – разработка теории, кот
... More
Source: Applied nanoscience. 2019. Vol. 9, № 5. P. 617-622
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Results of photoluminescence studies of single-quantum-well HgCdTe-based structures and electroluminescence studies of multiple-quantum-well InAsSb-based structures are reported. HgCdTe structures wer
... More
Authors:
Krishtopenko, Sergey S. |
Grabecki, Grzegorz |
Jouault, Benoit |
Consejo, Christophe |
Desrat, Wilfried |
Kadykov, Alexander M. |
Spirin, Kirill E. |
Gavrilenko, Vladimir I. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Dvoretsky, Sergei A. |
But, Dmytro B. |
Teppe, Frederic |
Wróbel, Jerzy |
Cywiński, Grzegorz |
Kret, Sławomir |
Dietl, Tomasz |
Knap, Wojciech |
Yahniuk, Ivan |
Majewicz, Magdalena
Source: npj Quantum materials. 2019. Vol. 4. P. 13 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
HgTe quantum wells (QWs) are two-dimensional semiconductor systems that change their properties at the critical thickness dc, corresponding to the band inversion and topological phase transition. The
... More