Add to Quick Collection
All 4 Results
Showing items 1 - 4 of 4.
Add All Items to Quick Collection
Source: Infrared physics and technology. 2015. Vol. 71. P. 236-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Metal–insulator–semiconductor structures based on n-Hg1−xCdxTe (x = 0.19–0.25) were grown by molecular-beam epitaxy on the GaAs (0 1 3) substrates. Near-surface graded-gap layers with high CdTe conten
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 10. С. 88-90
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре
... More