Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN

doi:10.21883/FTP.2017.02.44112.8251

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

нитрид индия-галлия | множественные квантовые ямы

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN	190 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.21883/FTP.2017.02.44112.8251

#множественные квантовые ямы

Title: Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Title: The influence of ballistic overflow on temperature dependence of quantum efficiency of InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
Creator: Прудаев, Илья Анатольевич
|
Романов, Иван Сергеевич
|
Олейник, Владимир Леонидович
|
Копьев, Виктор Васильевич
Date: 2017
DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44112.8251
Description: В работе исследованы зависимости квантового выхода от температуры и уровня возбуждения для светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN. Эксперимент проводился для двух режимов возбуждения люминесценции. Сравнение результатов, полученных при фото- и электролюминесценции, показало, что в области высокой плотности тока наблюдаются дополнительные низкотемпературные потери (дополнительные к потерям, связанным с ожерекомбинацией). Это обусловливает инверсию температурной зависимости квантового выхода при температурах меньше 220 300 K. В результате анализа установлено, что потери связаны с утечкой электронов из активной области светодиода. Для объяснения экспериментальных данных привлечена модель баллистической утечки. Результаты моделирования качественно согласуются с экспериментальными зависимостями квантового выхода от температуры и плотности тока.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Научное управление
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51, вып. 2. С. 240-246
Language: rus

Created: 02-10-2017

1704 Visitors

1510 Hits

213 Downloads

Радиофизический факультет

Научное управление Влияние баллистической утечки на температурную зависимость квантового выхода светодиодов на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN