Add to Quick Collection
All 4 Results
Showing items 1 - 4 of 4.
Add All Items to Quick Collection
Source: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 403-409
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Mid- and long-wave infrared nBn structures based on HgCdTe grown by molecular beam epitaxy (MBE) on GaAs (013) substrates were fabricated. For mid-wave nBn structures, the composition in the absorbing
... More
Source: Semiconductor science and technology. 2020. Vol. 35, № 5. P. 055026 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Metal-insulator-semiconductor (MIS) structures were fabricated by depositing an Al2O3 dielectric on
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 10. С. 67-71
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Методами мессбауэровской спектроскопии с привлечением рентгенофазового анализа и резерфордовского обратного рассеяния протонов были проведены исследования кинетики процессов диффузии и фазовых превращ
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 7. С. 59-64
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Проведены экспериментальные исследования влияния барьерного слоя на кинетику термически индуцированных процессов диффузии и фазовых превращений в слоистой системе Fe–Be при энергии ~ 1.6 МэВ. В резуль
... More