Add to Quick Collection
All 70 Results
Showing items 61 - 70 of 70.
Add All Items to Quick Collection
Source: Неорганические материалы. 2012. Т. 48, № 2. С. 133-135
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 78-80
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 81-83
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 7. С. 19-22
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 12. С. 66-68
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 2. С. 100-102
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description:
Представлены результаты исследований поглощения ИК-излучения в высокоомном GaAs:Cr. Измерения поглощения проведены в интервале энергий фотонов 0,5–1,5 эВ при комнатной температуре. Исследованы три тип
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 12. С. 83-88
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Исследовано влияние материала подложки на электрические характеристики пленок ТаxОy, полученных ВЧ-магнетронным распылением мишени, изготовленной из оксида тантала. Установлено влияние кислородной пла
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 4. С. 21-26
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Проведена серия технологических экспериментов по выращиванию монокристаллов GaSe:Te методом Бриджмена – Стокбаргера. Исследованы микроморфология поверхности и механические свойства кристаллов с различ
... More
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 155-163
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Source: Вестник Томского государственного университета. 2003. № 278. С. 81-86
Type: статьи в журналах
Date: 2003
Description:
В статье обобщаются результаты работы по созданию полупроводниковых структур для детекторов рентгеновских и γ-излучений на основе компенсированных хромом эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращива
... More