Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Прудаев, Илья Анатольевич | арсенид галлия

Add to Quick Collection   All 12 Results

Showing items 1 - 12 of 12.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   S-диоды для накачки полупроводниковых лазерных диодов
Authors: Олейник, Владимир Леонидович | Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Петрова, Юлианна Сергеевна | Курасова, Анна Сергеевна | Гущин, Сергей Михайлович
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 163-164
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 1
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 1. С. 56-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлен обзор литературы по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с вкл ... More
Add   Арсенид галлия с включениями ферромагнитных MnAs нанокластеров в качестве материала для спинтроники. Ч. 2
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 14-22
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлен обзор работ по магнитным свойствам арсенида галлия, легированного марганцем (GaMnAs), с включениями нанокластеров. Экспериментальные исследования однозначно показали, что GaMnAs с включени ... More
Add   Физические основы работы лавинного S-диода
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Копьев, Виктор Васильевич | Олейник, Владимир Леонидович | Петрова, Юлианна Сергеевна
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 181
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Диффузия примесей и собственных точечных дефектов в арсениде галлия
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Type: монографии
Date: 2022
Description: В монографии систематизированы наиболее важные, по нашему мнению, данные, касающиеся процесса диффузии в арсениде галлия собственных точечных дефектов, донорных, акцепторных примесей, примесей с глубо ... More
Add   Влияние барьерных контактов на транспорт носителей заряда в однородных структурах из GaAs, легированных глубокими центрами Cr и EL2
Authors: Верхолетов, Максим Георгиевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Физика и техника полупроводников. 2021. Т. 55, № 8. С. 693-698
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Представлены результаты исследования транспорта носителей заряда в структурах из GaAs для детекторов ионизирующих излучений и сверхбыстрых фотоэлектрических переключателей, содержащих глубокие донорны ... More
Add   Образование дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 12. С. 160-165
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Проведено исследование образования дислокаций в процессе диффузии примесей в GaAs. Изучено образование дислокаций в диффузионных слоях GaAs, легированных разными примесями (элементами II, IV, VI групп ... More
Add   Электрические, структурные и магнитные свойства арсенида галлия, легированного железом
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 3. С. 82-88
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Систематизированы данные по электрическим, структурным и магнитным свойствам арсенида галлия, легированного железом и полученного разными методами. Рассмотрены условия получения структур с магнитными ... More
Add   Свойства структур Ga2O3–GaAs в видимом и УФ-диапазонах
Authors: Зарубин, Андрей Николаевич | Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович | Яскевич, Тамара Михайловна | Вишникина, Вера Валерьевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 181-184
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Электрические свойства GaAs, легированного железом
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Новиков, Вадим Александрович | Будницкий, Давыд Львович | Лопатецкая, Ксения Сергеевна | Хлудков, Станислав Степанович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 12. С. 103-105
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Распад пересыщенного твердого раствора железа в GaAs
Authors: Хлудков, Станислав Степанович | Гутаковский, Антон Константинович | Новиков, Владимир Александрович | Толбанов, Олег Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Неорганические материалы. 2012. Т. 48, № 2. С. 133-135
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Фотовольтаический эффект в контакте металл – высокоомный GaAs:Cr
Authors: Новиков, Владимир Александрович | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович | Яскевич, Тамара Михайловна | Будницкий, Давыд Львович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 7. С. 19-22
Type: статьи в журналах
Date: 2012
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

Resource Type

^