Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
множественные квантовые ямы
|
Копьев, Виктор Васильевич
|
2015
|
нитрид галлия
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
449 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
Creator
Прудаев, Илья Анатольевич
Creator
Романов, Иван Сергеевич
Creator
Брудный, Валентин Натанович
Creator
Копьев, Виктор Васильевич
Subject
нитрид галлия
множественные квантовые ямы
носители заряда
светодиоды
квантовая эффективность
температурная зависимость
баллистический транспорт
плотность тока
Date
2015
Description
Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового выхода светодиодных
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Физический факультет
Радиофизический факультет
Научное управление
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000577393
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000577393
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 5. С. 53-56
Language
rus
1158 Visitors
942 Hits
235 Downloads
Preview
Радиофизический факультет
Физический факультет
Сибирский физико-технический институт
<
>
Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
^ DIV >