Температурная зависимость квантового выхода светодиодных структур InGaN/GaN при высокой плотности тока
- Title
- Microsoft Word - Физ_05_верстка-31.doc
- Version
- 1.x
- Pages
- 4
- Size
- 449 KB
- Producer
- Acrobat Distiller 7.0.5 (Windows)
Open in Browser
|
View Pdf in Internal Viewer
|
Download
449 KB
