Please be patient while the object screen loads.
Description | Size | Format | ||
---|---|---|---|---|
Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках | 1 MB | Adobe Acrobat PDF | View Details | Download |
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя | 10.34077/Semicond2019-439 |