Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках

doi:10.34077/Semicond2019-439

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках	1 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.34077/Semicond2019-439

#nBn-структуры

#темновые характеристики

#сигнальные характеристики

#теллурид кадмия-ртути

Title: Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
Creator: Несмелов, Сергей Николаевич
|
Дзядух, Станислав Михайлович
|
Горн, Дмитрий Игоревич
|
Варавин, Василий Семенович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Якушев, Максим Витальевич
|
Сидоров, Георгий Юрьевич
|
Войцеховский, Александр Васильевич
Date: 2019
DOI: 10.34077/Semicond2019-439

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Научное управление | Сибирский физико-технический институт
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 2. С. 439
Language: rus

Created: 16-10-2020

3640 Visitors

3477 Hits

197 Downloads

Радиофизический факультет

Сибирский физико-технический институт

Научное управление Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках