Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 138 Results

Showing items 106 - 120 of 138.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Фоточувствительные структуры на основе наногетероструктур Si/Ge для оптических систем передачи информации
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Романов, Иван Сергеевич | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 3. С. 338-343
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного КРТ МЛЭ
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Анализ возможности создания фоточувствительных Si/Ge-наногетероструктур для оптических систем передачи информации
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 240-241
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 56-57
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Коханенко, Андрей Павлович | Петерс, Александр Сергеевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 65-66
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 150-151
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Детектирование в терагерцовом диапазоне
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Кульчицкий, Николай Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Мальцев, Петр Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Нано- и микросистемная техника. 2012. № 2. С. 28-35
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Динамика электрических свойств конвертированных при ионной имплантации и ионном травлении n-слоев в р-CdxHg1-xTe
Authors: Фицич, Елена Ивановна | Бончик, Александр Юрьевич | Савицкий, Григорий Владимирович | Войцеховский, Александр Васильевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Юрий Георгиевич | Варавин, Василий Семенович | Мынбаев, Карим Джафарович | Ижнин, Игорь Иванович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 148-149
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Информационное и спектроскопическое обеспечение лазерного анализа высокотемпературных газовых смесей
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Войцеховская, Ольга Кузьминична | Каширский, Данила Евгеньевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 86-87
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 58-59
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Радиационное дефектообразование в КРТ МЛЭ при воздействии мощного лазерного излучения
Authors: Талипов, Нияз Хатимович | Средин, Виктор Геннадиевич | Шульга, Сергей Анатольевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 73-75
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Радиационные эффекты в HgCdTe
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Коротаев, Александр Григорьевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Кульчицкий, Николай Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82-89
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Теоретическая модель описания спектров фотолюминесценции структур КРТ с квантовыми ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 251-252
Type: статьи в журналах
Date: 2012

Creator

Date

Subject

^