Механизмы токопрохождения в диодной структуре с n+–p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пленки пористого кремния

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Механизмы токопрохождения в диодной структуре с n+–p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пленки пористого кремния	541 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Механизмы токопрохождения в диодной структуре с n+–p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пленки пористого кремния
Creator: Трегулов, Вадим Викторович
|
Литвинов, Владимир Георгиевич
|
Ермачихин, Александр Валерьевич
Date: 2017
Description: Исследована температурная зависимость вольт-амперных характеристик фотоэлектрического преобразователя с антиотражающей пленкой пористого кремния и n⁺–p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пористой пленки. Насыщение пленки пористого кремния фосфором производилось в процессе ее роста электрохимическим способом. Показано, что на процессы токопрохождения в исследуемой структуре существенное влияние оказывают ловушки.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 9. С. 94-99
Language: rus