Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 12 Results

Showing items 1 - 12 of 12.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Атомная и электронная структура и квантовый конфайнмент в нанокристаллитах кремния. Часть I. Нанокристаллы кремния, погруженные в матрицу оксида кремния
Authors: Томилин, Феликс Николаевич | Мельчакова, Юлия Антоновна | Артюшенко, Полина Владимировна | Рогова, Анастасия Владимировна | Аврамов, Павел Вениаминович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 77-83
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: В первой части обзора рассмотрены способы синтеза, структура и фотолюминесцентные свойства нанокристаллитов кремния, погруженных в матрицу оксида кремния, в частности, пористый кремний и нанокремний, ... More
Add   Атомная и электронная структура и квантовый конфайнмент в нанокристаллитах кремния. Часть II. Структура и оптические свойства допированных и сложных нанокристаллов кремния
Authors: Томилин, Феликс Николаевич | Мельчакова, Юлия Антоновна | Артюшенко, Полина Владимировна | Рогова, Анастасия Владимировна | Аврамов, Павел Вениаминович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 3. С. 77-83
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Во второй части обзора подробно рассмотрены структура и оптические свойства уникальных кремниевых нанокластеров, состоящих либо из двух и более фрагментов кубического кремния, химически соединенных по ... More
Add   Влияние примесей V, Nb и Mo на стабильность фаз титана
Authors: Каспарян, Сергей Олегович | Бакулин, Александр Викторович | Кулькова, Светлана Евгеньевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 8. С. 42-48
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Методом проекционных присоединенных волн в рамках теории функционала электронной плотности проведено систематическое изучение атомной и электронной структуры трех фаз (α, β и α'') титана, легированног ... More
Add   Средние числа атомов в системе из постоянного их числа c возможностью вероятностных переходов между NS ≥ 3 пространственными состояниями
Authors: Скобелев, Владимир Васильевич | Копылов, Сергей Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 4. С. 141-149
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Предложенная ранее в наших работах формальная вероятностная теория взаимопревращений атомов при наличии трех (NS = 3) пространственных размерностей их электронных структур распространена на общий случ ... More
Add   Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия
Authors: Кособуцкий, Алексей Владимирович | Саркисов, Сергей Юрьевич
Source: Физика твердого тела. 2018. Т. 60, вып. 9. С. 1645-1649
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: С использованием методов теории функционала плотности выполнены расчеты электронной зонной структуры слоистого полупроводника GaTe гексагональной модификации. Структурные параметры объемного кристалла ... More
Add   Использование метода гибридного функционала для расчета электронной структуры полупроводниковых соединений A3B5
Authors: Бакулин, Александр Викторович | Кулькова, Светлана Евгеньевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 122-124
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Ab-initio study of new Ga-rich GaAs(001) surface (4 × 4) reconstruction
Authors: Kulkova, Svetlana E. | Eremeev, Sergey V. | Tereshchenko, Oleg E. | Bakulin, Alexander V.
Source: Surface science. 2013. Vol. 615. P. 97-102
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Bulk and surface electronic structure of SnBi4Te7 topological insulator
Authors: Menshchikova, Tatiana V. | Eremeev, Sergey V. | Chulkov, Evgueni V. | Vergniory, M. G.
Source: Applied surface science. 2013. Vol. 267. P. 146-149
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Electronic structure of SnSb2Te4 and PbSb2Te4 topological insulators
Authors: Menshchikova, Tatiana V. | Eremeev, Sergey V. | Chulkov, Evgueni V.
Source: Applied surface science. 2013. Vol. 267. P. 1-3
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Influence of the Ge-Sb sublattice atomic composition on the topological electronic properties of Ge2Sb2Te5
Authors: Koroteev, Yury M. | Bihlmayer, G. | Chulkov, Evgueni V. | Silkin, I. V.
Source: Applied surface science. 2013. Vol. 267. P. 169-172
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Structural, elastic and electronic properties of GaSe under biaxial and uniaxial compressive stress
Authors: Kosobutsky, Alexey V. | Sarkisov, Sergey Yu. | Brudnyi, Valentin N.
Source: Journal of physics and chemistry of solids. 2013. Vol. 74, № 9. P. 1240-1248
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   The effect of van der Waal’s gap expansions on the surface electronic structure of layered topological insulators
Authors: Vergniory, M. G. | Menshchikova, Tatiana V. | Shaposhnikov, Anton A. | Chulkov, Evgueni V. | Eremeev, Sergey V.
Source: New journal of physics. 2012. Vol. 14. P. 113030 (1-13)
Type: статьи в журналах
Date: 2012
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

^