Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия

doi:10.21883/FTT.2018.09.46378.052

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия	270 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.21883/FTT.2018.09.46378.052

#теллурид галлия

#электронные структуры

#размерные эффекты

#зонные структуры

#гексагональная модификация

Title: Влияние размерных эффектов на электронную структуру гексагонального теллурида галлия
Creator: Кособуцкий, Алексей Владимирович
|
Саркисов, Сергей Юрьевич
Date: 2018
DOI: 10.21883/FTT.2018.09.46378.052
Description: С использованием методов теории функционала плотности выполнены расчеты электронной зонной структуры слоистого полупроводника GaTe гексагональной модификации. Структурные параметры объемного кристалла с симметрией beta-политипа определены с учетом ван-дер-ваальсовых взаимодействий и согласуются с экспериментальными данными для поликристаллических пленок в пределах 2%. Получены оценки положения экстремумов верхней валентной зоны и нижней зоны проводимости относительно уровня вакуума для объемного beta-GaTe и для ультратонких пластин с числом элементарных слоев от 1 до 10, что соответствует диапазону толщины 0.5-8 nm. Расчеты показывают, что гексагональный GaTe является непрямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны, варьирующейся от 0.8 eV в объемном материале до 2.3 eV в монослое. Работа поддержана грантом N 8.2.18.2017 в рамках Программы повышения конкурентоспособности ТГУ.