Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2015 | теллурид кадмия ртути | статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 26 Results

Showing items 16 - 26 of 26.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на электронные свойства поверхности эпитаксиальных пленок КРТ
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Новиков, Вадим Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 141-143
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлены результаты исследований влияния объемного наносекундного разряда на электронные свойства приповерхностной области эпитаксиальных пленок КРТ. Обнаружено, что распределение поверхностного п ... More
Add   Влияние импульсного объемного наносекундного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства МДП-структур на основе p-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Григорьев, Денис Валерьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 86-93
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл ... More
Add   Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Фицич, Елена Ивановна | Савицкий, Григорий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Исследование поверхностного потенциала в области V-дефекта эпитаксиальной пленки МЛЭ КРТ
Authors: Новиков, Вадим Александрович | Григорьев, Денис Валерьевич
Source: Физика и техника полупроводников. 2015. Т. 49, вып. 3. С. 319-322
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Методами атомно-силовой микроскопии проведено исследование распределения контактной разности потенциалов (поверхностного потенциала) эпитаксиальных пленок CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лу ... More
Add   Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением
Authors: Средин, Виктор Геннадиевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Исследованы электрофизические характеристики МДП-структур на основе Cdx Hg1-xTe до и после воздействия рентгеновским излучением с энергией квантов в диапазоне E = 0,5 ÷ 12 кэВ. Показано, что воздейств ... More
Add   Расчет параметров детекторов терагерцового диапазона на основе системы иммерсионная линза-планарная антенна-полупроводниковый датчик
Authors: Барко, Алексей Владимирович | Левашкин, Андрей Геньевич | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 283-286
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Свойства поверхностных состояний в МДП-структурах на основе варизонного n-Hg1-хCdхTe (x = 0.21-0.23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-м ... More
Add   Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с пассивирующими слоями SiO2/Si3N4 и Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Сидоров, Георгий Юрьевич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто ... More

Creator

Subject

^