Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2010

Add to Quick Collection   All 6 Results

Showing items 1 - 6 of 6.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 4. С. 93-95
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 1. С. 70-75
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Представлены результаты оптимизации атомной структуры и расчета электронных и транспортных характеристик кремниевых кластеров с плотной атомной упаковкой Si13 и кремниевых наночастиц, инкапсулированны ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 11/2. С. 20-25
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Исследованы основные параметры щелевой линии, используемой для возбуждения волн геликонового типа. Определены компоненты векторов напряженности электрического и магнитного полей, вектора Пойнтинга и х ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 4. С. 16-20
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамк ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 10. С. 52-55
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Показано, что в основе направленной самоорганизации электронного потока в полупроводниках может лежать резонансный механизм на неоднородностях, образованных фиксированным распределением диэлектрическо ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре ... More
  • «
  • 1
  • »
^