Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
арсенид галлия

Add to Quick Collection   All 3 Results

Showing items 1 - 3 of 3.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content
Authors: Aronzon, B. A. | Rylkov, V. V. | Davydov, A. B. | Tugushev, V. V. | Caprara, S. | Likhachev, I. A. | Pashaev, E. M. | Chuev, M. A. | Lahderanta, E. | Vedeneev, A. S. | Bugaev, A. S. | Pankov, M. A.
Source: The European physical journal B. 2012. Vol. 85. P. 206 (1-11)
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Измерение скорости насыщения электронов в квантовой яме AlGaAs/InGaAs
Authors: Айзенштат, Геннадий Исаакович | Божков, Владимир Григорьевич | Ющенко, Алексей Юрьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 34-39
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: В диапазоне температур 200–400 К измерены зависимости средней дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для двумерного электронного газа в квантовой яме гетероструктуры AlGaAs ... More
Add   Девятая конференция "Арсенид галлия и полупроводниковые соединения группы III-V"(3-5 октября 2006 г., Томск, Россия) : материалы конференции
Type: сборники
Date: 2006
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^