Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2017 | статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 6 Results

Showing items 1 - 6 of 6.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Development of a high-voltage waveguide photodetector comprised of Schottky diodes and based on the Ge–Si structure with Ge quantum dots for portable thermophotovoltaic converters
Authors: Pakhanov, N. A. | Yakimov, A. I. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Pchelyakov, Oleg P.
Source: Optoelectronics, instrumentation and data processing. 2017. Vol. 53, № 2. P. 190-196
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: This paper demontstrates the possibility of developing a high-voltage waveguide photodetector comprised of Schottky diodes and based on a Au/Ge — Si structure with Ge quantum dots pseudomorphic to a s ... More
Add   Entanglement of two-electron spin states in a double quantum dot
Authors: Bagrov, Vladislav G. | Levin, Alexander D. | Meireles, M. S. | Gitman, Dmitri M.
Source: International journal of quantum information. 2017. Vol. 15, № 01. P. 1750006 (1-14)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Recently, an implementation of a universal set of one- and two-quantum-bit gates for quantum computation using spin states of coupled single-electron quantum dots was proposed. It was demonstrated tha ... More
Add   Temperature spectra of conductance of Ge/ Si p-i-n structures with Ge quantum dots
Authors: Izhnin, Igor I. | Pishchagin, Anton A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Nikiforov, Alexander I. | Fitsych, Olena I.
Source: Nanoscale research letters. 2017. Vol. 12. P. 131 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: This work presents results of investigation of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots in the i-region by the method of admittance spectroscopy. The structures contain multiple layers with Ge quan ... More
Add   Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов
Authors: Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Паханов, Николай Андреевич
Source: Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge-Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечива ... More
Add   Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S ... More
Add   Температурная чувствительность водорастворимых квантовых точек CdTe и CdSe/ZnS, внедренных в биополимерные субмикронные частицы
Authors: Слюсаренко, Нина Викторовна | Герасимова, Марина Анатольевна | Слабко, Виталий Васильевич | Слюсарева, Евгения Алексеевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 3. С. 88-94
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Синтезированы полимерные частицы на основе хитозана и хондроитин сульфата размером 0.3–0.4 мкм с внедренными квантовыми точками CdTe («ядро») и CdSe/ZnS («ядро – оболочка»). Методами динамического рас ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Subject

^