Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2016 | арсенид галлия

Add to Quick Collection   All 5 Results

Showing items 1 - 5 of 5.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Влияние методов обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенидгаллиевых сенсоров рентгеновского излучения
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна | Зарубин, Андрей Николаевич | Толбанов, Олег Петрович | Тяжев, Антон Владимирович
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 254-256
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Влияние обработки поверхности на вольт-амперные характеристики арсенид галлиевых сенсоров рентгеновского излучения
Authors: Шаймерденова, Лейла Калитаевна
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 38-39
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Исследование распределения удельного сопротивления по пластине GaAs:Cr
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 259-261
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Исследование распределения эффективности сбора заряда по пластине GaAs:Cr
Authors: Щербаков, Иван Дмитриевич
Source: Труды XIII Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2016 г.. Томск, 2016. С. 40-43
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Стабильность электрических характеристик МОП-структур на основе оксида галлия
Authors: Калыгина, Вера Михайловна | Петрова, Юлианна Сергеевна | Прудаев, Илья Анатольевич | Толбанов, Олег Петрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 3-6
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Представлены результаты исследования вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур металл – оксид – полупроводник на основе GaxOy/GaAs, полученных методом термического испарения. Установлено ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^