Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 236 Results

Showing items 181 - 195 of 236.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 2. С. 439
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Осмысленная научная деятельность: диссертанту - о жизни знаний, защищаемых в форме положений : монография
Authors: Соснин, Эдуард Анатольевич | Пойзнер, Борис Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Type: монографии
Date: 2015
Add   О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны
Authors: Измайлов, Игорь Валерьевич | Пойзнер, Борис Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Type: учебные издания
Date: 2015
Description: Рекомендовано УМО по образованию в области приборостроения и оптотехники
Add   Компоненты темнового тока nB(SL)n-структур на основе HgCdTe для широкого диапазона напряжений смещения
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78-86
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком ... More
Add   Влияние объемного наносекундного разряда в газовых средах атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиального материала HgCdTe
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Коханенко, Андрей Павлович | Петерс, Александр Сергеевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 65-66
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   О науке, событиях в истории изучения света, колебаний, волн, об их исследователях, а также глоссы и этимоны : учебное пособие : [для студентов, изучающих радиофизику, оптотехнику, фотонику, оптоинформатику, радиотехнику]
Authors: Измайлов, Игорь Валерьевич | Пойзнер, Борис Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Type: учебные издания
Date: 2014
Add   К вопросу о дефектообразовании под действием мягкого рентгеновского излучения в структурах на основе антимонида индия
Authors: Средин, Виктор Геннадиевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Степаненко, Александр Александрович | Мелехов, Андрей Петрович | Рамакоти, Рави Шрираджа | Юрчак, Валерий Аркадьевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Андрейчиков, Кирилл Сергеевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 295-296
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Add   Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Материалы электронной техники. 2013. № 1. С. 38-45
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Исследование характеристик наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками методом адмиттансной спектроскопии
Authors: Сатдаров, Вадим Газизович | Коханенко, Андрей Павлович | Калин, Евгений Андреевич | Никифоров, Александр Иванович | Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 5-7
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Моделирование кремниевого p–i–n-фотодиода со встроенными слоями квантовых точек германия с помощью «TCAD Sentaurus»
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Пищагин, Антон Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 131-133
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Управление параметрами массива квантовых точек Ge на поверхности Si в процессе роста
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Турапин, Алексей Михайлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Пищагин, Антон Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 232-233
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Влияние освещения на адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2017. С. 380-381
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Add   Высокочувствительные приемники оптического излучения
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 39-42
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Униполярные барьерные структуры на основе МЛЭ HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Григорьев, Денис Валерьевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Девятая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" к 100-летию со дня рождения академика Б. К. Вайнштейна ; Четвертая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 22–26 ноября 2021 г. : сборник тезисов. [Б. м.], 2021. С. 48
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: В докладе представлены результаты численного моделирования униполярных nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe, а также сравнение результатов расчётов с результатами экспериментальных исследований их электр ... More
Add   Определение электрофизических свойств МДП на основе nB(SL)n-структуры из HgCdTe в широком температурном диапазоне
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75-83
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Проведено исследование адмитансных характеристик структуры металлдиэлектрик-полупроводник (МДП), в качестве полупроводника в которой использовалась nBn-структура на основе эпитаксиальных слоев Hg1-x C ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^