Add to Quick Collection
All 7 Results
Showing items 1 - 7 of 7.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре
... More
Type: учебные издания
Date: 2010
Description:
Рассмотрены теоретические основы расчёта и оптимизации основных параметров устройств на поверхностных акустических волнах. Предложены практические задания для компьютерного расчёта некоторых простейши
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 59-64
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 4. С. 16-20
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамк
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 54-58
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала CdxHg1–xTe. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглоще
... More
Source: Нано- и микросистемная техника. 2010. № 6. С. 10-17
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Пpиведен обзоp имеющихся данных по пpоцессам pадиационного дефектообpазования в КPТ, выpащенном объемными и эпитаксиальными методами. Pассмотpено влияние на электpофизические паpаметpы матеpиала облуч
... More
Type: учебные издания
Date: 2010