Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
селенид галлия

Add to Quick Collection   All 57 Results

Showing items 31 - 45 of 57.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Физика твердого тела : сборник материалов XV Российской научной студенческой конференции, 18-20 мая 2016 г., г. Томск, Россия. Томск, 2016. С. 206-208
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Source: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 2015. Vol. 79, № 2. P. 238-241
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: GaSe crystals with 0, 0.07, 0.38, 0.67, 2.07, 3, and 5 wt % Te are grown. GaSe:Te (≤2.07 wt %) crystals are suitable for nonlinear optics applications. The optimum doping level is 0.07 wt %. This mini ... More
Source: Light: Science & Applications. 2015. Vol. 4. P. e362 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: In this review, we introduce the current state of the art of the growth technology of pure, lightly doped, and heavily doped (solid solution) nonlinear gallium selenide (GaSe) crystals that are able t ... More
Source: Journal of materials science: materials in electronics. 2014. Vol. 25. P. 1757-1760
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015), Russia, Omsk, may 21-23, 2015 : proceedings. Omsk, 2015. P. [1-3]
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 228-229
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Source: Journal of solid state chemistry. 2015. Vol. 232. P. 67-72
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The influence of van der Waals interactions on the lattice parameters, band structure, elastic moduli and binding energy of layered GaSe compound has been studied using projector-augmented wave method ... More
Source: Перспективы развития фундаментальных наук : сборник научных трудов XII Международной конференции студентов и молодых ученых, 21-24 апреля 2015 г.. Томск, 2015. С. 428-430
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Semiconductor science and technology. 2015. Vol. 30, № 11. P. 115019 (1-9)
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Density functional theory calculations have been applied to study the structural and electronic properties of layered epsilon-GaSe, γ-InSe, β-GaS and GaTe compounds. The optimized lattice parameters h ... More

Date

^