Add to Quick Collection
All 32 Results
Showing items 1 - 15 of 32.
Add All Items to Quick Collection
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 395-398
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружит
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 240-241
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Authors:
Войцеховский, Александр Васильевич |
Несмелов, Сергей Николаевич |
Дзядух, Станислав Михайлович |
Горн, Дмитрий Игоревич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Меньшиков, Р. В. |
Сидоров, Георгий Юрьевич |
Ужаков, Иван Николаевич |
Якушев, Максим Витальевич
Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2021. Т. 2 : Секция 3. С. 603-604
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
Изготовлены многослойные униполярные гетероэпитаксиальные структуры на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Результаты экспериментальных исследов
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 251-252
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 267-269
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Прикладная физика. 2013. № 5. С. 5-9
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Type: монографии
Date: 2021
Description:
В монографии приведен анализ основных достижений в области использования архитектур полупроводниковых фотоприемных устройств, содержащих униполярные барьеры. Рассмотренные разработки демонстрируют улу
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 37-39
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Authors:
Несмелов, Сергей Николаевич |
Дзядух, Станислав Михайлович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Сидоров, Георгий Юрьевич |
Каширский, Данила Евгеньевич |
Горн, Дмитрий Игоревич |
Лозовой, Кирилл Александрович |
Дирко, Владимир Владиславович |
Войцеховский, Александр Васильевич
Source: НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 18-22 мая 2020 г., Москва, ИМЕТ РАН : сборник материалов. С. 111-112
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10. С. 102-111
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Authors:
Горн, Дмитрий Игоревич |
Ижнин, Игорь Иванович |
Ижнин, Александр Иванович |
Гольдин, Виктор Данилович |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Сидоров, Юрий Георгиевич |
Якушев, Максим Витальевич |
Варавин, Василий Семенович |
Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб
... More