Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | статьи в журналах | полупроводники

Add to Quick Collection   All 8 Results

Showing items 1 - 8 of 8.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Юрий Георгиевич | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре ... More
Add   Влияние диффузионного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства узкозонных полупроводников CdHgTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Романов, Илья Владимирович | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Григорьев, Денис Валерьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 10/3. С. 126-130
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Расчет профилей распределения радиационных дефектов в КРТ при воздействии мощными импульсными лазерными пучками
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Леонов, Михаил Юрьевич | Шульга, Сергей Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 4. С. 16-20
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Приведены результаты расчета профилей распределения радиационных дефектов и термомеханических характеристик материала при воздействии мощными лазерными пучками на полупроводниковые образцы КРТ, в рамк ... More
Add   Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Фотоэлектрические инфракрасные детекторы с управляемой спектральной характеристикой
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 164-171
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Вклад механических напряжений в формирование поверхностного рельефа при лазерном облучении полупроводников
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Сахаров, Михаил Викторович | Талипов, Нияз Хатимович | Средин, Виктор Геннадиевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 125-128
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Add   Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Коханенко, Андрей Павлович | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 10. С. 88-90
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Add   Подготовка специалистов в области физики и техники полупроводников в Томском университете
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Гаман, Василий Иванович | Гермогенов, Валерий Петрович | Ивонин, Иван Варфоломеевич | Лаврентьева, Людмила Германовна | Мокроусов, Геннадий Михайлович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 47-52
Type: статьи в журналах
Date: 2005
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

^