Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Войцеховский, Александр Васильевич
|
статьи в сборниках
|
варизонные слои
|
2015
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3
688 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3
Creator
Войцеховский, Александр Васильевич
Creator
Дзядух, Станислав Михайлович
Creator
Васильев, Владимир Васильевич (физик)
Creator
Варавин, Василий Семенович
Creator
Дворецкий, Сергей Алексеевич
Creator
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
Creator
Якушев, Максим Витальевич
Creator
Сидоров, Юрий Георгиевич
Creator
Несмелов, Сергей Николаевич
Contributor
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Томский государственный университет Научное управление Лаборатории НУ
Subject
МДП-структуры
теллурид кадмия ртути
молекулярно-лучевая эпитаксия
варизонные слои
Date
2015
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Научное управление
Identifier
vtls:000519781
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000519781
Type
статьи в сборниках
Source
Полупроводники 2015 : XII Российская конференция по физике полупроводников, Ершово, 21-25 сентября 2015 г. : тезисы докладов. М., 2015. С. 138
Language
rus
2198 Visitors
1995 Hits
224 Downloads
Preview
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Научное управление
Свойства границы раздела варизонного МЛЭ Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытиями SiO2/Si3N4 и Al2O3
^ DIV >