Add to Quick Collection
All 13 Results
Showing items 1 - 13 of 13.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 12. С. 31-38
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 32-40
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Предложен метод вычисления профиля концентрации носителей заряда в гетероструктуре с квантовыми ямами, основанный на измерении полевой зависимости резистивных свойств гетероструктуры. Предполагается,
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 3. С. 144-147
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Измерения фононного спектра LED-гетероструктуры на основе барьера In0.12Ga0.88N/GaN показали наличие в нём четырех пиков фононного излучения с энергиями 0.193, 0.207, 0.353 и 0.356 эВ. Из сравнения ре
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 5. С. 119-127
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Рассматривается излучательная способность квантовой ямы комбинированного профиля, представляющая собой яму, полученную составлением нескольких прямоугольных ям разной толщины и высоты. Нижняя яма наим
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 2. С. 19-25
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Рассматривается взаимодействие электронов из зоны проводимости барьерного слоя светодиодной гетероструктуры с уровнем размерного квантования квантовой ямы, описываемое временем захвата и временем эмис
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 3. С. 99-103
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Рассматривается выполнение критерия размерного квантования в квантовых ямах различного профиля. Установлено, что существует предельный номер дискретного состояния свободного носителя заряда в яме, выш
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 10. С. 19-25
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Установлено, что модель межзонной излучательной рекомбинации в полупроводнике при биполярной инжекции носителей заряда, в которой скорость рекомбинации описывается произведением полных концентраций но
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 4. С. 133-142
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Исходя из топологии гетероструктуры с квантовыми ямами, предложена ее эквивалентная схема в виде последовательного соединения параллельных RC-цепей, описывающих электрофизические свойства барьерных сл
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 3. С. 90-96
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Description:
В результате исследования шумовых свойств фоторезистора на основе CdSe установлено, что при фоновой засветке определенной мощности имеет место минимум шума на его зависимости от напряжения смещения. И
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 1. С. 86-92
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
В рамках ступенчатого распределения спектральной плотности примесно-дефектных состояний по запрещенной зоне полупроводника по теореме Лэкса вычислена дисперсия числа носителей заряда при действии элек
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 11. С. 127-133
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Получены аналитические зависимости элементов эквивалентной схемы гетероструктуры от свойств материала квантовых ям, их местоположения и напряжения смещения гетероструктуры. На их основе получены выраж
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 70-72
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Description:
Из рассмотрения зарядовых свойств пары «квантовая яма – барьер», каждое вещество которой обладает пиро- или пьезополяризацией, получено выражение для расчета поляризационных коэффициентов (пирокоэффиц
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 2. С. 95-98
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Предлагается метод определения кристаллографических направлений в кристаллах различной точечной симметрии, вдоль которых комбинация физических свойств различных рангов и симметрий Кюри принимает задан
... More
