Влияние легирования на люминесцентные свойства светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами

doi:10.17223/00213411/62/10/19

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние легирования на люминесцентные свойства светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами	446 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/62/10/19

#эмиссия излучения

#скорость излучательной рекомбинации

#функции участия

Title: Влияние легирования на люминесцентные свойства светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами
Creator: Давыдов, Валерий Николаевич
|
Задорожный, Олег Федорович
Date: 2019
DOI: 10.17223/00213411/62/10/19
Description: Установлено, что модель межзонной излучательной рекомбинации в полупроводнике при биполярной инжекции носителей заряда, в которой скорость рекомбинации описывается произведением полных концентраций носителей заряда, не учитывает физически существующий при легировании разбаланс концентраций рекомбинирующих частиц. Для вычисления числа актов рекомбинации электронно-дырочных пар с учетом различия концентраций рекомбинирующих частиц предложено использовать вычисление обратной суммы обратных величин концентраций с применением функций участия. Показано, что при таком описании числа актов рекомбинации рост концентрации легирующей примеси уменьшает число актов, но оставляет неизменным время излучательной рекомбинации при любом уровне инжекции.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 10. С. 19-25
Language: rus

Created: 05-02-2020

365 Visitors

363 Hits

6 Downloads

Журналы ТГУ Влияние легирования на люминесцентные свойства светодиодных гетероструктур с квантовыми ямами