Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах | Войцеховский, Александр Васильевич | 2015

Add to Quick Collection   All 11 Results

Showing items 1 - 11 of 11.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Влияние импульсного наносекудного объемного разряда в воздухе атмосферного давления на магнитополевые зависимости электрофизических параметров эпитаксиальных пленок КРТ
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 144-146
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе представлены результаты экспериментальных исследований влияния объемного наносекудного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические характеристики эпитаксиальных пленок КРТ, в ... More
Add   Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Фицич, Елена Ивановна | Савицкий, Григорий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Исследование Si/Ge p-i-n структур с квантовыми точками Ge методом адмиттансной спектроскопии
Authors: Пищагин, Антон Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 241-243
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Механизмы рекомбинации в структурах InGaN/GaN с квантовыми ямами при высоких уровнях возбуждения
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Модельные представления формирования глубоких конвертированных слоев в р-CdxHg1-xTe при ионной имплантации
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 267-270
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Оптические и фотоэлектрические свойства наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их о ... More
Add   Переходная электролюминесценция структур ОСИД с эмиссионным слоем на основе Alq3
Authors: Зятиков, Илья Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Тельминов, Евгений Николаевич | Дегтяренко, Константин Михайлович | Медведев, Михаил Дмитриевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 252-255
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Расчет параметров детекторов терагерцового диапазона на основе системы иммерсионная линза-планарная антенна-полупроводниковый датчик
Authors: Барко, Алексей Владимирович | Левашкин, Андрей Геньевич | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 283-286
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Электрофизические характеристики наногетероструктур Si/Ge с квантовыми точками Ge
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 2. С. 9-20
Type: статьи в журналах
Date: 2015
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Subject

^