Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
гетероструктуры

Add to Quick Collection   All 66 Results

Showing items 1 - 15 of 66.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Band structure engineering in topological insulator based heterostructures
Authors: Otrokov, Mikhail M. | Tsirkin, Stepan S. | Samorokov, D. A. | Bebneva, V. V. | Ernst, Arthur | Kuznetsov, Vladimir M. (физик) | Chulkov, Evgueni V. | Menshchikova, Tatiana V.
Source: Nano letters. 2013. Vol. 13. P. 6064-6069
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Description: ABSTRACT: The ability to engineer an electronic band
Add   Magnetic proximity effect at the three-dimensional topological insulator/magnetic insulator interface
Authors: Menshov, V. N. | Tugushev, V. V. | Echenique, Pedro Miguel | Chulkov, Evgueni V. | Eremeev, Sergey V.
Source: Physical Review B. 2013. Vol. 88, № 4. P. 144430-1-144430-5
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kokhanenko, Andrey P. | Satdarov, Vadim G. | Pchelyakov, Oleg P. | Nikiforov, Alexander I. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Opto-electronics review. 2014. Vol. 22, № 3. P. 171-177
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Гетероструктуры Cr-содержащая ферромагнитная пленка - топологический изолятор, как перспективные материалы для реализации квантового аномального эффекта Холла
Authors: Силкин, Игорь Вячеславович | Меньщикова, Татьяна Викторовна | Чулков, Евгений Владимирович | Петров, Евгений Константинович
Source: Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. 2019. Т. 109, вып. 1/2. С. 118-123
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: В настоящей работе мы представляем результаты теоретического исследования двух гетероструктур, состоящих из подложки топологического изолятора Bi2Se3 и тонкой пленки ферромагнитного изолятора CrI3 или ... More
Add   Magnetic proximity effect in the three-dimensional topological insulator/ferromagnetic insulator heterostructure
Authors: Tugushev, V. V. | Eremeev, Sergey V. | Echenique, Pedro Miguel | Chulkov, Evgueni V. | Menshov, V. N.
Source: Physical Review B. 2013. Vol. 88, № 22. P. 224401-1-224401-8
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Резистивное профилирование как метод исследования гетероструктур с множественными квантовыми ямами
Authors: Давыдов, Валерий Николаевич | Задорожный, Олег Федорович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 32-40
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Предложен метод вычисления профиля концентрации носителей заряда в гетероструктуре с квантовыми ямами, основанный на измерении полевой зависимости резистивных свойств гетероструктуры. Предполагается, ... More
Add   Зависимость темнового тока фотоприемников с квантовыми точками от разброса наноостровков по размерам
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Духан, Рахаф М. Х. | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 486-489
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Led InGaN/GaN structures with short-period superlattice grown on flat and patterned sapphire substrates
Authors: Romanov, I. S. | Brudnyi, Valentin N. | Kopyev, V. V. | Novikov, Vadim A. | Marmalyuk, A. A. | Kureshov, V. A. | Sabitov, D. R. | Mazalov, A. V. | Prudaev, Ilya A.
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 57, № 11. P. 1604-1608
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: The results of studies of blue LED InGaN/GaN heterostructures with a short-period InGaN/GaN superlattice in front of an active region of the structure grown on flat and patterned Al2O3 substrates are ... More
Add   Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов CdS - GaAs, полученных эпитаксией сульфида кадмия из паровой фазы : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
Authors: Лупин, Владимир Михайлович | Рамазанов, Павел Ефимович (научный руководитель)
Type: диссертации
Date: 1974
Add   High sensitivity low-temperature hydrogen sensors based on SnO2/κ(ε)-Ga2O3:Sn heterostructure
Authors: Almaev, Aleksei V. | Yakovlev, Nikita N. | Kopyev, Viktor V. | Nikolaev, Vladimir I. | Butenko, Pavel N. | Deng, Jinxiang | Pechnikov, Aleksei I. | Korusenko, Petr M. | Koroleva, Aleksandra | Zhizhin, Evgeniy V.
Source: Chemosensors. 2023. Vol. 11, № 6. P. 325 (1-15)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: The structural and gas-sensitive properties of n-N SnO2/κ(ε)-Ga2O3:Sn heterostructures were investigated in detail for the first time. The κ(ε)-Ga2O3:Sn and SnO2 films were grown by the halide vapor p ... More
Add   Photoelectrical characteristics of TiO2-Si heterostructures
Authors: Kalygina, V. M. | Prudaev, Ilya A. | Tolbanov, Oleg P. | Egorova, I. S.
Source: International Siberian Conference on Control and Communications (SIBCON–2015), Russia, Omsk, may 21-23, 2015 : proceedings. Omsk, 2015. P. [1-4]
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 21-26
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Generalized Muller-Kern formula for equilibrium thickness of a wetting layer with respect to the dependence of the surface energy of island facets on the thickness of the 2D layer
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems ... More
Add   Адмиттанс МДП-структур на основе варизонного МЛЭ p-Hg1-xCdxTe (x = 0.22-0.23) в режиме сильной инверсии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Spin Hall conductivity in three-dimensional topological insulator/normal insulator heterostructures
Authors: Menshov, V. N. | Tugushev, V. V. | Chulkov, Evgueni V.
Source: Journal of experimental and theoretical physics letters. 2015. Vol. 102, № 11. P. 754-759
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: In the framework of an effective functional approach based on the k · p method, we study the combined effect of an interface potential and a thickness of a three-dimensional (3D) topological insulator ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^