Механизм повреждения и способ защиты полупроводниковых устройств от ионизирующего излучения

doi:10.17223/00213411/64/8/131

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Механизм повреждения и способ защиты полупроводниковых устройств от ионизирующего излучения	519 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/64/8/131

#ионизирующее излучение

#механизмы повреждения

#методы защиты

#полупроводниковые устройства

#экспериментальные исследования

Title: Механизм повреждения и способ защиты полупроводниковых устройств от ионизирующего излучения
Creator: Zhu, Weiguo
|
Lian, Dexing
|
Zhang, Qingzhao
|
Hou, Changsong
Date: 2021
DOI: 10.17223/00213411/64/8/131
Description: На основе анализа характеристик электромагнитного излучения рассматриваются механизм и метод защиты полупроводниковых устройств от повреждений ионизирующим излучением. На основании исследований изменения емкости в зависимости от напряжения на затворе сегнетоэлектрического полевого транзистора (FEFET) разработана модель поляризации сегнетоэлектрического слоя. Проанализирован механизм повреждения электрических характеристик такого транзистора ионизирующим излучением с учетом двух аспектов – горизонтального напряжения и дрейфа порогового напряжения. Была реализована конструкция сегнетоэлектрического полевого транзистора с использованием антирадиационного эффекта в схеме FPGA (Field Programmable Gate Arrays). Для защиты электронных устройств от ионизирующего излучения в конструкции применен метод проектирования с трехкратным резервированием, основанный на мгновенном воздействии ионизирующего излучения. Результаты показывают, что дрейф порогового напряжения, вызванный зарядом оксидной ловушки, пропорционален дозе облучения. При этом дрейф порогового напряжения, вызванный зарядом ловушки на границе раздела, пропорционален дозе облучения в случае низкой дозы, а при дозе облучения, превышающей 60 крад (SiO2), зависимость становится экспоненциальной. В спроектированной схеме FPGA FEFET повторная задержка сигнала отсутствует, что доказывает эффективность защиты от ионизирующего излучения.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 8. С. 131-142
Language: rus