Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 5 Results

Showing items 1 - 5 of 5.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 5. С. 60-66
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Исследованы наногетероструктуры с множественными квантовыми ямами Ge0.84Si0.076Sn0.084/Ge/Si, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевых подложках, включая структуры с Ge квантовым ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 4. С. 85-92
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ) исследована эволюция вицинальной поверхности Si(100) при эпитаксиальном росте в системе молекулярно-лучевой эпитаксии в широких диапазонах изменения температ ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 85-90
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены морфологические, структурные и оптические свойства наноструктурированных пленок SnO(x), полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии осаждением олова в потоке кислорода на окисленной ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 7. С. 22-26
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведены экспериментальные исследования формирования структуры ступенчатой поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии кремния на подложке Si(100) в широких интервалах изменения температуры подложк ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 13-19
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения ... More
  • «
  • 1
  • »

Date

^