Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge	1 MB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#дифракция быстрых электронов

#молекулярно-лучевая эпитаксия

#атомно-силовая микроскопия

#островки Ge

#поверхность Si(100)

Title: Влияние ступенчатой поверхности Si(100) на процесс зарождения островков Ge
Creator: Есин, Михаил Юрьевич
|
Никифоров, Александр Иванович
|
Тимофеев, Вячеслав Алексеевич
|
Машанов, Владимир Иванович
|
Туктамышев, Артур Раисович
|
Лошкарев, Иван Дмитриевич
|
Пчеляков, Олег Петрович
Date: 2017
Description: Проведены исследования зарождения островков Ge на ступенчатой поверхности Si(100). По дифракции быстрых электронов показано, что при температуре 600 оС при неизменном потоке Si со скоростью осаждения 0.652 Å/с происходит полное исчезновение серии рефлексов от сверхструктуры 1×2 при предварительном нагреве до 1000 оС подложки Si(100), отклоненной к плоскости (111) на угол 0.35о. Исчезновение рефлексов сверхструктуры 1×2 обусловлено переходом поверхности от моноатомных к двухатомным ступеням. Исследования роста островков Ge проводились на поверхности Si(100), которая предварительно отжигалась при температурах 800 и 1000 оС. Показано, что островки имеют тенденцию зарождаться на краях ступенек.