Структуры с поочередными полупроводниковыми и нематическими нанопрослойками: формирование, свойства, применение

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Структуры с поочередными полупроводниковыми и нематическими нанопрослойками: формирование, свойства, применение	802 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Структуры с поочередными полупроводниковыми и нематическими нанопрослойками: формирование, свойства, применение
Creator: Иващишин, Федор Олегович
|
Григорчак, Иван Иванович
|
Микитюк, Зиновий Матвеевич
|
Фечан, Андрей Васильевич
|
Кулик, Юрий Орестович
Date: 2010
Description: Цель работы заключалась в формировании периодической мультислоистой структуры с поочередными гетерофазными и гетероагрегатными нанопрослойками с помощью интеркаляционных нанотехнологий. Объектом исследования служил слоистый полупроводник селенид галлия. Описаны стадии формирования GaSe<ЖК>. Представлены результаты рентгеноструктурных исследований полученных образцов методом импедансной спектроскопии. Приведены структуры импедансных моделей.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 46-53
Language: rus