Электрофизические свойства тонких пленок системы Ge–Sb–Te для устройств фазовой памяти

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Электрофизические свойства тонких пленок системы Ge–Sb–Te для устройств фазовой памяти	591 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#фазовая память

#температурные зависимости удельного сопротивления

#вольт-амперные характеристики

#энергетические диаграммы

Title: Электрофизические свойства тонких пленок системы Ge–Sb–Te для устройств фазовой памяти
Creator: Лазаренко, Петр Иванович
|
Козюхин, Сергей Александрович
|
Шерченков, Алексей Анатольевич
|
Бабич, Алексей Вальтерович
|
Тимошенков, Сергей Петрович
|
Громов, Дмитрий Геннадьевич
|
Заболотская, Анастасия Владимировна
|
Козик, Владимир Васильевич
Date: 2016
Description: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и вольт-амперных характеристик аморфных тонких пленок на основе материалов системы Ge–Sb–Te составов GeSb₄Te₇ (GST147), GeSb₂Te₄ (GST124), Ge₂Sb₂Te₅ (GST225), применяемых в устройствах фазовой памяти. Определено влияние изменения состава тонких пленок на температуру кристаллизации, удельные сопротивления в аморфном и кристаллическом состояниях и энергию активации проводимости. Выявлено, что особенностью данных материалов является механизм двухканальной проводимости, при котором вклад в электропроводность вносят носители, возбужденные в локализованные состояния в хвостах зон, и носители в распространенных состояниях валентной зоны.