Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
кремний | 2020

Add to Quick Collection   All 9 Results

Showing items 1 - 9 of 9.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Metallurgical and materials transactions A. 2020. Vol. 51A, № 2. P. 818-829
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Piston Al-Si alloys have very complex compositions and multi-phase heterogeneous structure, so it is necessary to control the formation of primary and eutectic compounds. In this study, the ultrasonic ... More
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 2. P. 296-302
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Epitaxial growth of germanium quantum dots on an oxidized silicon surface is considered. A kinetic model of
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 3-7
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Предлагается модель движения элементарных ступеней на двухдоменной поверхности кремния (100) при кристаллизации из молекулярного пучка. Модель учитывает возможность перехода адатома на соседнюю террас ... More
Source: Международная конференция "Физическая мезомеханика. Материалы с многоуровневой иерархически организованной структурой и интеллектуальные производственные технологии", посвященная 90-летию со дня рождения основателя и первого директора ИФПМ СО РАН академика Виктора Евгеньевича Панина в рамках Международного междисциплинарного симпозиума "Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций", 5-9 октября 2020 года, Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2020. С. 328-329
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Russian physics journal. 2020. Vol. 63, № 6. P. 901-906
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: A model of the elementary step motion on a two-domain (100) silicon surface during crystallization from a molecular beam is proposed. The model takes into account the possibility of an adatom transiti ... More
Source: Applied surface science. 2020. Vol. 501. P. 144253 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: So-called metal-induced silicon reconstructions (i.e., metal films of monolayer or submonolayer thickness epitaxially grown on single-crystal silicon substrates in ultra-high vacuum) represent a speci ... More
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 183-185
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: В данной работе методом дифракции быстрых электронов определены зависимости величины упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте квантовых точек германия на кремнии. Показано, что от ... More
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 158-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: В данной работе проводится всестороннее рассмотрение влияния зависимости упругих напряжений и поверхностных энергий от толщины осажденного материала на эпитаксиальное формирование двумерных слоев и кв ... More
  • «
  • 1
  • »
^