Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 236 Results

Showing items 196 - 210 of 236.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Темновые и сигнальные характеристики униполярных барьерных структур на основе n-HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 2. С. 439
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Экспериментальное исследование барьерных NBvN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 249-251
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description: В работе проводилось исследование барьерных nBνN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe семи типов (A, B, C, D, E, F) для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях
Add   Анализ возможности создания фоточувствительных Si/Ge-наногетероструктур для оптических систем передачи информации
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Сатдаров, Вадим Газизович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 240-241
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 56-57
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Вклад механических напряжений в формирование поверхностного рельефа при лазерном облучении полупроводников
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Сахаров, Михаил Викторович | Талипов, Нияз Хатимович | Средин, Виктор Геннадиевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 125-128
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Add   Рост наноструктур по механизму Фольмера–Вебера
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Дирко, Владимир Владиславович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 38-39
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Add   Изменение электрофизических свойств узкозонных твердых растворов CdHgTe под воздействием объемного разряда, инициируемого пучком электронов лавин в воздухе атмосферного давления
Authors: Григорьев, Денис Валерьевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Коханенко, Андрей Павлович | Тарасенко, Виктор Федотович | Шулепов, Михаил Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 10. С. 88-90
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Add   Рост квантовых точек Ge на окисленной поверхности Si
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Дирко, Владимир Владиславович | Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 372
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 69-70
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Механизм формирования рельефа поверхности эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe при лазерном облучении
Authors: Средин, Виктор Геннадиевич | Сахаров, Михаил Викторович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: XIV Российская конференция по физике полупроводников, 9-13 сентября 2019 г., Новосибирск : тезисы докладов. М., 2019. Ч. 1. С. 134
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Исследование распределения поверхностного потенциала эпитаксиальных пленок CdHgTe
Authors: Новиков, Вадим Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Григорьев, Денис Валерьевич
Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XIX Международного симпозиума, 10-14 марта 2015 г., Нижний Новгород. Н. Новгород, 2015. Т. 2, секция 3. С. 601-602
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Add   Темновые токи униполярных NbνN структур на основе HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Меньшиков, Р. В. | Сидоров, Георгий Юрьевич | Ужаков, Иван Николаевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2022. Т. 2 : Секция 3. С. 720-721
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description: В работе приводятся результаты экспериментального исследования NBvN-структур созданных на основе эпитаксиальной пленки твердых растворов теллурида кадмия и ртути (Hg1-xCdxTe) с содержанием CdTe x=0.30 ... More
Add   Эффективность фоточувствительных Ge/Si-наноструктур с оптическим резонатором
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Скрыльников, Александр Аркадьевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 224-226
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 128
Type: статьи в сборниках
Date: 2017

Creator

Date

Subject

Resource Type

^