Add to Quick Collection
All 138 Results
Showing items 16 - 30 of 138.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 8. С. 59-69
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 235-238
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе приводятся результаты исследований свойств быстрых поверхностных состояний на границе раз-дела диэлектрик-полупроводник в МДП-структурах на основе МЛЭ n-Hg1-xCdxTe с пассивирующими покрытия-м
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 7. С. 8-18
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Предложена методика для определения параметров элементов эквивалентной схемы в сильной инверсии из результатов измерения адмиттанса МДП-структур на основе n-Hg₀.₇₇₅Cd0.₂₂₅Te, выращенного методом молек
... More
Source: Успехи прикладной физики. 2013. Т. 1, № 4. С. 493-499
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22-26
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe/Si(013) с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe и без тако
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 55, № 9/2. С. 5-7
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34-37
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1−xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барье
... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54-60
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результат
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 85-88
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 20-31
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 7. С. 41-50
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Рассмотрены двумерные аллотропные модификации одиночных элементов III группы: борофена (B), алюминена (Al), галленена (Ga), индиена (In) и таллена (Tl). Акцент сделан на их структурные параметры и тех
... More
Source: Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3-20
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Рассмотрены возможности исследования электрофизических свойств МДП-структур на основе n(p)-Hgi _ xCdxTe (x = 0,21...0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне темпер
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 251-252
Type: статьи в журналах
Date: 2012