Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | полупроводники | Дзядух, Станислав Михайлович

Add to Quick Collection   All 3 Results

Showing items 1 - 3 of 3.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы
Authors: Средин, Виктор Геннадьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Мелехов, Андрей Петрович | Рамакоти, Рави Шрираджа | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: IX Международная конференция "Лазерные, плазменные исследования и технологии" ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М., 2023. С. 43
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Description: Приводятся результаты исследования ВФХ МДП структур на основе CdxHg1-xTe, подвергнутых действию мягкого рентгеновского излучения. Предлагается модель генерации поверхностных дефектов излучением.
Add   Униполярные барьерные детекторы коротковолновой области инфракрасного диапазона : [монография]
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Войцеховский, Александр Васильевич
Type: монографии
Date: 2021
Description: В монографии приведен анализ основных достижений в области использования архитектур полупроводниковых фотоприемных устройств, содержащих униполярные барьеры. Рассмотренные разработки демонстрируют улу ... More
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe МЛЭ с выращенным in situ CdTe в качестве диэлектрика
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Юрий Георгиевич | Васильев, Владимир Васильевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 2. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe (x = 0,22–0,23 и 0,32–0,36) с выращенным in situ CdTe в качестве пассивирующего покрытия. Опре ... More
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
^