Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 232 Results

Showing items 16 - 30 of 232.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Определение подвижности носителей заряда в пленках органических полупроводников MEH-PPV и MEH-PPV-POSS
Authors: Романов, Илья Владимирович | Дегтяренко, Константин Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Коханенко, Андрей Павлович | Никонова, Елена Николаевна | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 116-123
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Импеданс МДП-приборов на основе nBn-структур из теллурида кадмия – ртути
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x ... More
Add   Построение модели расчета параметров клиновидных квантовых точек германия на кремнии при их выращивании методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Сатдаров, Вадим Газизович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 11. С. 162-169
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Для режимов обеднения и обогащения предложены эквивалентные схемы МДП-структуры на основе органической тонкой пленки (P3HT) с диэлектриком Al2O3. Проведено моделирование частотных зависимостей емкости ... More
Add   Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружит ... More
Add   Переходная электролюминесценция структур ОСИД с эмиссионным слоем на основе Alq3
Authors: Зятиков, Илья Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Тельминов, Евгений Николаевич | Дегтяренко, Константин Михайлович | Медведев, Михаил Дмитриевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 252-255
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа ... More
Add   Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 9. С. 106-121
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: В работе, состоящей из двух частей, представлено детальное рассмотрение предложенного авторами метода дискретного анализа спектра подвижности и его применения для исследования параметров носителей зар ... More
Add   Исследование дефектообразования в эпитаксиальных слоях n-CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Юрчак, Валерий Аркадьевич | Средин, Виктор Геннадиевич
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 392-394
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Расчет пороговых характеристик фотопроводящих детекторов на органических полупроводниках
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 102-105
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Акименко, Наталья Юрьевна | Дирко, Владимир Владиславович | Войцеховский, Александр Васильевич | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в ... More
Add   Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники : учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки 200200 – "Оптотехника", 200700 – "Фотоника и оптоинформатика" и 200500 – "Лазерная техника и лазерные технологии"]
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ижнин, Игорь Иванович | Савчин, Владимир Петрович | Вакив, Николай Михайлович
Date: 2013
Add   Адмиттансные характеристики nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 5. С. 77-85
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое ис ... More
Add   Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Электрофизические характеристики униполярных барьерных структур на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральных диапазонах 3-5 и 8-12 мкм
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Сидоров, Георгий Юрьевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 240-241
Type: статьи в сборниках
Date: 2021

Creator

Date

Subject

Resource Type

^