Add to Quick Collection
All 8 Results
Showing items 1 - 8 of 8.
Add All Items to Quick Collection
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems
... More
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 285-296
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: International Journal of Nanotechnology. 2015. Vol. 12, № 3/4. P. 209-217
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Applied surface science. 2015. Vol. 354, Part B. P. 450-452
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) was used to study the evolution of thin GexSi1−x film surface superstructures s in the course of molecular beam epitaxy. The (2 × N) superstructure
... More
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 965-969
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Results of investigations into the synthesis of heterostructures based on Ge–Si–Sn materials by the method of low-temperature molecular beam epitaxy are presented. The formation of epitaxial films dur
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 81-85
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировало
... More