Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to Quick Collection

Description	Size	Format
Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN	628 KB	Adobe Acrobat PDF	View Details	Download

Title: Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.
Creator: Копьев, Виктор Васильевич
Subject: физика полупроводников
Date: 2019
Publisher: Томск : [б. и.]

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Авторефераты, диссертации
Identifier: vtls:000667781
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000667781
Type: авторефераты диссертаций
Language: rus

463 Visitors

309 Hits

228 Downloads

Preview

Авторефераты, диссертации Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.